大手笔！1700亿4座晶圆厂，中芯国际开始“时值”了

随着全世界仅限于高素质闪存接踵而来“寒冬”之际，各大闪存厂商纷纷把注意力转向成熟期手工研发上，并开始整修生产成本和复建车间。Intel海外投资200亿美元在俄亥俄州修造大型闪存车间，三星对日本车间进行扩产。

而国内的中就会芯国际也要“一触即发”了，海外投资1700亿人民币分别在北平、天津、深圳、上海新建4座DRAM车间，用于12英寸DRAM的装配。要知道中就会芯国际月内第二季度的营收为245.92亿元，月内送来1700亿新建4座DRAM车间，算是是实实在在的“高价”。

可能就会有人反驳表示质疑，因为今天闪存手工早就达到5nm了，3nm也在逐步量产中就会，中就会芯国际的设计成熟期闪存看看选错一段距离了？

面对缺芯的原因，全世界许多国家开始对闪存研发重视起来了，旧金山、欧共体都制定了巨额补贴政策来引进闪存厂商海外投资厂址，日本、北朝鲜更是从新材料到闪存人才培养都转为了巨大的资金和精力。都是为了缩减本土闪存教育领域的生产成本，以应对缺芯巨变。

从2021年至今，全世界缺芯原因在一定素质上得到缓解，但全世界许多国家和地区并不能如期在闪存研发教育领域的的设计。要知道，未来在人工智能、大数据库、智能汽车以及物联网等教育领域对闪存的需求依然很大。

而在这些行业所用到的闪存并不是14nm以下的高素质闪存手工，而是现有市场取向的28nm、55nm手工。

从现有闪存市场的需求来看，中就会芯国际不能选错一段距离，其海外投资1700亿新建的4座DRAM厂所装配的闪存正是28nm近的当前取向闪存DRAM。厂址投产后，规模是空前绝后的巨大。

我们可以约莫的算出一下，4座车间按照每个月35万片近的生产成本来算，一年的生产成本就是420万片近，按照一片12英寸的DRAM可以切割单单500颗闪存来算，420万片DRAM相当于21亿颗闪存。（主观数据库称许存在值，小编分析供参考）

今天不只是中就会芯国际在扩产28nm手工，多年来追求先进手工和高性能的惠普公司也在的设计加码28nm闪存的生产成本，其位于南京的车间多年来维持着整修扩产的原计划。还有就是惠普公司叫停了高雄的7nm手工的厂址原计划，而28nmDRAM则不能如期。

这意味着，闪存代工“交椅”同样重视28nm成熟期闪存DRAM，从惠普公司宣布关闭部分EUV光刻机到7nm车间新建如期，看得单单来惠普公司从先进DRAM向成熟期DRAM转变。

另外，重要的是中就会芯国际高价海外投资28nmDRAM，是因为技术能避免，要知道，中就会芯国际经过多年的发展，在28nm成熟期手工上的良品率早就处于业内人士领先水平，这也就意味着研发成本和生产成本都在能避免仅限于。

中就会芯国际在28nm成熟期手工方面的的设计，正如中就会国研究员吴张成所说的：我们业已不是一味地跑去别人追求先进的手工，而是增加闪存生产成本，缩减闪存自给率。意味着28nm手工及以上的生产成本本质关键性。

虽然，惠普公司、三星、Intel都在的设计28nm成熟期手工，但与中就会芯国际相比早就晚了一步。

中就会芯国际先人一步的的设计在缩减自身生产成本的同时也就会占领更多的竞争者，营收也就会成倍的缩减。届时，框架早就打好，也就会有更多的资金和精力转为到先进手工的研制单单上面。

也正因为如此，才说中就会芯国际开始“一触即发”了。反驳，你有什么立场呢？欢迎在下发留言分享。